Доступно только для пользователей разработках в сфере энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом — RRAM, или ReRAM. Теоретически микросхемы RRAM способны обеспечивать примерно такое же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми. По сравнению с флеш-NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и на порядок более высоким числом циклов перезаписи.

Crossbar проектирует память 3D RRAM, архитектура которой предусматривает объёмную компоновку. При этом применяется фирменная технология 1TnR (1 Transistor driving n Resistive ... Читать дальше »